Descubren dos materiales que podrían desplazar al silicio en semiconductores

Estamos muy cerca de los límites teóricos del silicio, tanto que los principales fabricantes de semiconductores están estirando el ciclo de vida de los principales procesos de fabricación a niveles que no habíamos visto hasta ahora.

Uno de los mejores ejemplos lo tenemos en Intel, que introdujo el primer procesador de consumo fabricado en 14 nm con la generación Broadwell, un tick sobre Haswell que estaba fabricada en proceso de 22 nm y que hizo un debuto global a principios de 2015.

Desde entonces se ha mantenido dicho proceso en las generaciones posteriores; Skylake, Kaby Lake, Skylake-X y Kaby Lake-X, y también se utilizará una vez más en Coffee Lake, que es la verdadera sucesora a nivel de arquitectura de la actual Kaby Lake dentro del mercado de consumo general.

El silicio se ha mantenido como un material perfecto para la fabricación de semiconductores (sobre todo por su abundancia y bajo coste), pero esos límites han llevado a científicos y expertos a buscar alternativas viables que permitan seguir reduciendo el proceso de fabricación e incrementando el número de transistores. Sobre esta cuestión ya hablamos en este artículo, así que os invitamos a darle una lectura.

Uno de los últimos avances que se ha producido en este sentido viene de la mano de un grupo de investigadores de la Universidad de Stanford, que han identificado dos materiales que podrían acabar desplazando parcialmente al silicio en la fabricación de semiconductores.

Ambos materiales son los óxidos de diselenuro de hafnio y diselenuro de circonio. Con ellos los investigadores podrían crear circuitos totalmente funcionales con un grosor de apenas tres átomos, un avance importante que además ayudaría a reducir el consumo energético.

Todavía hay muchas cuestiones que resolver y desde luego no esperamos que se produzca un desplazamiento total del silicio a largo plazo, pero este tipo de avances confirma que hay opciones que podrían ser perfectamente viables.

Más información: Universidad de Stanford.