El nodo Intel 3 mejora un 18% el rendimiento con el mismo consumo

Intel 3 es un nodo de última generación que representa un avance importante frente al nodo Intel 4, que como recordarán muchos de nuestros lectores fue utilizado en los procesadores Meteor Lake. También representa un avance fundamental en la hoja de ruta del gigante del chip para cumplir con su objetivo de desarrollar cinco nodos en solo cuatro años.

Con el nodo Intel 3 el gigante está en la mitad del camino si hablamos de lanzamientos, un camino que empezó con el nodo Intel 7. Por delante tendríamos los nodos Intel 20A e Intel 18A, que serán los siguientes en llegar. Con el nodo Intel 20A se producirán cambios de gran calado por el uso de transistores RibbonFET y también por la implementación del sistema de alimentación PowerVia.

La compañía de Santa Clara confirmó que Intel Lunar Lake estará basado en el nodo de 3 nm de TSMC (N3B), así que el nodo Intel 3 solo se utilizará, de momento, en los procesadores Intel Xeon 6, que fueron lanzados de forma parcial durante la celebración del Computex de este año, y que como ya os contamos en su momento se dividen en dos grandes modelos, uno con núcleos P y otro con núcleos E.

Intel ha compartido un nuevo e interesante artículo en su blog oficial donde detalla los avances más importantes que ha conseguido con el nodo Intel 3. Comparado con el nodo Intel 4 tenemos una mejora de rendimiento por vatio del 18%, lo que significa que este nodo es capaz de ofrecer un 18% más de rendimiento con el mismo consumo que un procesador basado en el nodo Intel 4.

Este nuevo nodo mantiene el soporte de librerías de celdas alto rendimiento de 240 nm e introduce soporte de librerías celdas de 210 nm de alta densidad. El soporte de Through-Si Via es otra de las características añadidas, así como 1,2 V nativo, soporte de Deep N-well y paso TSV («a través del silicio) 3-E y 9um, lo que permite mejorar la densidad del apilado en 3D. Intel 3 está optimizado para computación de alto rendimiento, y puede funcionar tanto con un voltaje inferior a 0,65 voltios como con voltajes superiores a 1,3 voltios.

El nodo Intel 3 mejora la densidad en un 10% frente a la generación anterior, admite un conjunto flexible de interconexiones metálicas y en líneas generales representa un gran avance, sobre todo si tenemos en cuenta que llega con solo un año de diferencia frente al nodo Intel 4, tanto que ha vuelto a colocar al gigante del chip en lo más alto de la fabricación de semiconductores.

De momento no tenemos constancia de que este nodo se vaya a utilizar en otras familias de procesadores más allá de los Intel Xeon 6, pero ahora mismo todas las puertas están abiertas en este sentido, y al final dependerá de la tasa de éxito por oblea que esté obteniendo Intel, es decir, de la cantidad de chips funcionales por oblea, y de lo rentable o no que le resulte recurrir a este nodo para la fabricación de otros procesadores.