Samsung anuncia la memoria GDDR6W: el doble de capacidad y mayor rendimiento

La VRAM, también conocida como memoria gráfica, es una de las partes más importantes que dan forma a las soluciones gráficas actuales. Este componente se utiliza para almacenar datos y elementos que la GPU necesita para poder trabajar de forma eficiente, y sin ella esta no podría funcionar de la manera que todos conocemos. Su evolución es clave para afrontar nuevos desafíos, y Samsung nos ha mostrado el futuro a corto plazo con la presentación de la memoria GDDR6W.

Este nuevo tipo de memoria es la respuesta de la compañía surcoreana a los desafíos que plantean la realidad virtual y el metaverso. Para crear un mundo detallado en un entorno virtual y reproducirlo en tiempo real se necesita una enorme cantidad de memoria gráfica, y también una alta capacidad de computación. Con esto en mente es fácil entender el papel que juega la memoria GDDR6W, una importante innovación que permite doblar la capacidad y aumentar el rendimiento, y que está basada en la tecnología de encapsulado «Fan-Out Wafer-Level Packaging», también conocida como FOWLP.

La imagen adjunta nos muestra la distribución que utiliza la memoria GDDR6W, e ilustra a la perfección las diferencias que presenta frente a la memoria GDDR6 tradicional. Como podemos apreciar tenemos un apilado que permite aumentar la densidad de chips pasando de dos a cuatro, y también tenemos una reducción de la altura y del espacio ocupado. Este nuevo tipo de memoria permite configuraciones un 36% más delgadas, y a pesar de su diseño multicapa ofrece las mismas propiedades térmicas que la memoria GDDR6.

Con la memoria GDDR6W es posible crear configuraciones con un ancho de banda de hasta 1,4 TB/s, y su velocidad máxima es de 22 GHz (22 Gbps). Teniendo en cuenta que la memoria GDDR6X, desarrollada por Micron, que utilizan las GeForce RTX 4090 y GeForce RTX 4080 ya funciona a 21 GHz podemos sacar en claro que lo realmente interesante de este nuevo tipo de memoria de Samsung se encuentra en la tecnología de encapsulado que utiliza, y en el hecho de que puede doblar la capacidad total.

En teoría, la memoria GDDR6W reduce la cantidad de I/O (entrada y salida) a aproximadamente una octava parte en comparación con la memoria HBM2E, lo que hace que sea innecesario utilizar «microbumps» (micro separaciones), y también elimina la necesidad de contar con una capa intermedia. La producción de este nuevo tipo de memoria gráfica dará comienzo en los próximos meses, y sin duda podría tener un impacto considerable en las tarjetas gráficas de próxima generación.