Samsung ha iniciado el desarrollo de la memoria DDR6 y de la GDDR6+: hasta 12.800 MHz y 24.000 MHz

El gigante surcoreano ha iniciado el desarrollo de la memoria DDR6, un estándar de próxima generación que, como habréis podido imaginar, sucederá a la recién estrenada DDR5. Como viene siendo habitual con cada nueva generación, ese estándar marcará una evolución importante en términos de rendimiento, y también de eficiencia, al menos en teoría, ya que todavía se encuentra dando «sus primeros pasos».

La memoria DDR6 se plantará en unos impresionantes 12.800 MHz de frecuencia, cifra que debemos considerar como el nivel base de esa nueva generación. Esto quiere decir que ese no será el techo de la DDR6, sino el punto de partida que figurará en las especificaciones JEDEC. Según la fuente de la noticia puede que nos encontremos con velocidades máximas de hasta 17.000 MHz, una cifra verdaderamente impresionante. Para poner un poco de contexto, basta con recordar que, ahora mismo, con unas memorias DDR4 a 3.200 MHz y latencias CL14 ya disfrutamos de un rendimiento excelente.

Comparada con la memoria DDR5, el salto que supondría la memoria DDR6 también sería bastante grande, ya que aquella tocaría techo, en teoría, en los 8.500 MHz. Con todo, debemos tener en cuenta que cabe la posibilidad de que se acaben produciendo variaciones en las frecuencias finales, así que vamos a tomar las cifras que hemos dado con cautela, ya que algunas fuentes dicen que el techo real de la DDR6 estará en los 20.000 MHz (20 GHz).

La memoria DDR6 llegará entre 2025 y 2026, y antes de ella veremos la GDDR6+

Todavía faltan varios años para que se produzca el debut de la memoria DDR6, pero es interesante empezar a conocer sus principales claves, y para hacernos una idea de todo lo que puede llegar a ofrecer este nuevo estándar. Personalmente creo que, gracias a ese enorme incremento de las frecuencias de trabajo, veremos una mejora importante en el rendimiento de las GPUs integradas que recurran a la RAM para utilizarla como memoria gráfica, ya que la DDR6 ofrecerá un mayor ancho de banda.

Y hablando de GPUs, Samsung también ha relevado que está preparando nuevos chips de memoria GDDR6+, una solución que coexistirá con la GDDR6 y que será capaz de alcanzar frecuencias de más de 21 GHz. Hasta ahora, Micron ha sido la única que ha logrado alcanzar la barrera de los 21 GHz con la memoria GDDR6X, un estándar que NVIDIA ha utilizado en sus tarjetas gráficas GeForce RTX serie 30 más potentes.

No tenemos confirmación de cuándo estarán disponibles los primeros chips de memoria GDDR6+ de Samsung, así que no sabemos si llegarán a tiempo para integrarse en las próximas generaciones gráficas de NVIDIA y de AMD, conocidas provisionalmente como GeForce RXT 40 y Radeon RX 7000. Con todo, sí que tenemos claro que con la memoria funcionando a esa frecuencia y un bus de 384 bits sería posible conseguir un ancho de banda aproximado de 1 TB/s, mientras que con un bus de 256 bits nos situaríamos en los 768 GB/s.

Por otro lado, la memoria GDDR7 es un proyecto que se encuentra dando también sus primeros pasos, y que promete un salto generacional importante, ya que en teoría podría llegar a los 32 GHz de frecuencia. Con esa velocidad, un sistema de memoria basado en un bus de 256 bits podría alcanzar 1 TB/s de ancho de banda, mientras que en sistemas con buses de 384 bits y 512 bits tendríamos un ancho de banda total de 1,5 TB/s y 2 TB/s.

No quiero terminar sin recordaros que, además, esa nueva generación de memoria gráfica también debería permitir un aumento de la densidad por chip, que pasaría de los 16 Gb (gigabits) actuales a los 32 Gb. Esto quiere decir, en resumen, que permitirá doblar la cantidad máxima de VRAM integrada en una tarjeta gráfica sin doblar el espacio ocupado en el PCB. Es un detalle muy importante, ya que este tipo de memoria se distribuye en horizontal (2D).