IBM ya tiene semiconductores en 2 nm, pero el salto no es, realmente, tan grande como parece

Los semiconductores en 2 nm son ya una realidad, gracias a IBM. El gigante azul ha confirmado que ha logrado empezar a fabricar obleas de silicio con chips basados en dicho nodo, y ha enumerado de forma bastante detallada todas sus ventajas. Entre ellas podemos destacar una mejora de rendimiento de hasta el 45% frente al nodo de 7 nm de TSMC, o una reducción de consumo de hasta el 75%, también frente al nodo de 7 nm de la compañía taiwanesa.

No hay duda de que se trata de un avance importante, y que hablar de semiconductores en 2 nm impresiona, sobre todo porque nos acercamos a un nivel que marca el límite teórico del silicio. Sigamos echando un vistazo a los números, IBM dice que, con este proceso, es posible crear chips del tamaño de una uña con hasta 50.000 millones de transistores. Impresiona, desde luego, y si no lo contextualizamos adecuadamente puede parecernos algo increíble, pero si nos quedamos ahí estaríamos cometiendo grave error.

Ya hemos hablado de este tema en otras ocasiones, pero creo que el artículo más reciente, y el más interesante, fue este que dedicamos a Intel, donde vimos claramente que un proceso de fabricación con un nodo mayor puede ser superior a otro nodo inferior. Los semiconductores que fabrica Intel tienen una densidad de transistores por milímetro cuadrado mucho mayor que los de TSMC, y gracias al uso de diversas técnicas (FinFET, por ejemplo) es posible mejorar el rendimiento y la eficiencia de un chip sin tener que utilizar un nodo inferior.

Todo ese contexto nos da la base que necesitamos para entender por qué debemos contener el entusiasmo ante esos semiconductores en 2 nm que ha presentado IBM, pero vamos a seguir profundizando en este asunto para terminar de entender todas las claves.

Semiconductores en 2 nm con un margen de mejora cercano a los 5 nm de Intel

Esa es la realidad del asunto. Aunque IBM ha logrado producir semiconductores en 2 nm, las mejoras en términos de eficiencia y de rendimiento que ha dado el gigante estadounidense colocan a ese nodo más cerca de los 3 nm de TSMC, y en una franja similar a los futuros 5 nm de Intel.

Por si alguien se ha perdido, os adjunto una tabla que ha publicado Anandtech, donde podemos ver la densidad pico de transistores que han alcanzando IBM, TSMC, Intel y Samsung utilizando diferentes nodos. Los semiconductores en 2 nm de IBM alcanzan un pico de 333,33 millones de transistores por milímetro cuadrado, mientras que TSMC podría alcanzar un máximo de 292,21 millones por milímetro cuadrado con el proceso de 3 nm. Intel, por contra, quedaría en la franja de los 237,18 millones de transistores por milímetro cuadrado con el proceso de 7 nm.

Viendo los resultados que podría obtener al saltar de los 10 nm a los 7 nm, superará en más del doble la densidad de transistores, es lógico pensar que su proceso de 5 nm superará sin problemas, en densidad de transistores, a los semiconductores en 2 nm de IBM.

Quiero dejar claro que estamos ante un logro muy importante por parte de IBM, que debemos darle el mérito que merece, pero la industria de los semiconductores, y los nodos de fabricación, están rodeados de una cierta confusión que sinceramente creo que debe empezar a ser aclarada, y esto es responsabilidad nuestra, de los medios.