No todos los nanómetros son iguales, y por ello Intel podría renombrar los nodos de sus chips

Cuando hablamos de procesos de fabricación tanto Intel como TSMC, y otros gigantes del sector, utilizan un sistema de numeración basado en nanómetros que nos permite identificar, de forma sencilla, lo avanzado que está cada proceso. Así, por ejemplo, sabemos que el proceso de 14 nm está menos avanzado que el proceso de 7 nm, pero esa simplificación no siempre resulta del todo correcta.

Como sabrán muchos de nuestros lectores, la complejidad y lo avanzado que resulta un proceso de fabricación no depende únicamente del nodo que se utilice, es decir, de la reducción de nanómetros, sino también de la densidad de transistores. Si nos dejamos llevar por la idea anterior, pensaríamos que el proceso de 10 nm de Intel es inferior al de 7 nm de TSMC, pero lo cierto es que el primero está un poco por encima cuando comparamos la densidad máxima de transistores de ambos procesos:

• 10 nm de Intel: hasta 101 millones de transistores por milímetro cuadrado.
• 7 nm de TSMC: hasta 91 millones de transistores por milímetro cuadrado.

Lo mismo aplica al proceso de 7 nm de Intel. Hemos visto en numerosas ocasiones que la compañía de Santa Clara ha tenido problemas para iniciar la transición a los 7 nm, un desafío que TSMC ha podido superar sin problemas, pero lo cierto es que el proceso de 7 nm de Intel no se compara con el de 7 nm de TSMC, de hecho es superior al proceso de 5 nm de la compañía taiwanesa en densidad de transistores.

• 7 nm de Intel: hasta 250 millones de transistores por milímetro cuadrado.
• 5 nm de TSMC: hasta 171 millones de transistores por milímetro cuadrado.

Intel podría optar por una nomenclatura más justa y realista

Como hemos podido ver en los ejemplos anteriores, lo avanzado y complejo que resulta un proceso de fabricación no se limita a los nanómetros, sino que debemos tener en cuenta también la densidad de transistores. El transistor es el núcleo básico de un semiconductor, y con cada reducción del proceso de fabricación es posible integrar más transistores en un mismo espacio, ya que estos son más pequeños y acaban ocupando menos espacio. En este artículo, dedicado al procesador, profundizamos en su momento sobre el tema de los transistores y el proceso de fabricación.

Sin embargo, reducir el proceso conlleva un riesgo importante, y es que las puertas lógicas de los transistores son cada vez más delgadas, lo que incrementa la probabilidad de que se produzcan fugas eléctricas en los cambios de estado. Un chip con más transistores es, por tanto, más complicado de trasladar a la oblea, y su viabilidad técnica y económica resulta mucho más frágil.

Un interesante rumor asegura que Intel estaría considerando la utilización de una nueva nomenclatura para referirse a sus procesos de fabricación que le permita, en principio, mostrar de una manera más realista y clara lo avanzados que resultan sus procesos de fabricación en comparación con los de su principal rival, TSMC. No hay nada definitivo, pero la fuente de esta información apunta que el proceso de 7 nm de Intel podría pasar a definirse, directamente, como de 5 nm. Personalmente, no creo que Intel adopte esa estrategia, más que nada porque podría generar una fuerte polémica, pero está claro que tampoco es justo mantener esa comparación directa cuando la densidad de transistores es tan distinta.

Para terminar, os dejo una estimación de la densidad máxima de transistores de cada uno de los principales procesos de fabricación de Intel y TSMC, ordenados de menor a mayor, para que os hagáis una idea de las diferencias que existen entre ellos:

• 14 nm de Intel: hasta 37,5 millones de transistores por milímetro cuadrado.
• 10 nm de TSMC: hasta 52,5 millones de transistores por milímetro cuadrado.
• 7 nm de TSMC: hasta 91 millones de transistores por milímetro cuadrado.
• 10 nm de Intel: hasta 101 millones de transistores por milímetro cuadrado.
• 5 nm de TSMC: hasta 171 millones de transistores por milímetro cuadrado.
• 7 nm de Intel: hasta 250 millones de transistores por milímetro cuadrado.
• 3 nm de TSMC: hasta 290 millones de transistores por milímetro cuadrado.